La technologie FDSOI, une rupture technologique face au FinFET

Déjà présents dans l'électronique nomade, l'automobile et l'internet des objets, les transistors FD-SOI-28-18 nm sont actuellement produits en volume par des fondeurs comme STMicroelectronics, GlobalFoundries ou Samsung. Dans le cadre du projet NextGen, le CEA investit massivement en ressources humaines, équipements et bâtiments pour développer le FD-SOI 10 nm.

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